Une nouvelle avancée pour la « mémoire universelle »

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Des physiciens de l’Université de Lancaster, au Royaume-Uni, sont parvenus à démontrer que leur invention d’un nouveau genre de mémoire informatique pourrait transformer le fonctionnement des ordinateurs, des téléphones intelligents et d’autres gadgets.

Comme le mentionnent les chercheurs dans leur article publié dans IEEE Transactions on Electron Devices, la « mémoire universelle » est, en gros, un type de mémoire informatique où les données sont emmagasinées de façon très robuste, mais peuvent également être modifiées aisément; quelque chose qui était jusqu’à présent considéré comme impossible.

En ce moment, les deux principaux types de mémoire, soit la mémoire à accès aléatoire dynamique (dynamic RAM, ou DRAM) et la mémoire flash, possèdent des caractéristiques et des rôles complémentaires. La DRAM est rapide, et est donc utilisée comme mémoire active, mais est volatile, ce qui signifie que les informations sont perdues lorsque le courant est coupé. De fait, la DRAM « oublie » constamment, et doit donc toujours être rafraîchie. La mémoire flash n’est pas volatile, ce qui permet de transporter des informations dans une poche, par exemple, mais est très lente. Elle est fort utile pour le stockage de données, rappellent les chercheurs, mais ne peut être utilisée comme mémoire vive.

Les physiciens de l’Université de Lancaster ont été en mesure de connecter diverses cellules de mémoire ensemble pour créer une mémoire vive (de la RAM). Ils prédisent ainsi que de telles puces pourraient offrir une performance au moins équivalente à celle de la DRAM, mais y parvenir 100 fois plus efficacement, et avec l’avantage supplémentaire de la non-volatilité.

Cette nouvelle RAM, appelée ULTRARAM, représenterait une version fonctionnelle de la « mémoire universelle », qui combinerait tous les avantages de la DRAM et de la mémoire flash, sans aucun des inconvénients.

« Les travaux publiés dans ce nouvel article représentent une avancée importante, et offre un plan clair pour l’implémentation de la mémoire ULTRARAM », précise le professeur Manus Hayne, qui dirige les travaux de recherche.

L’équipe de recherche dit avoir surmonté le paradoxe de la mémoire universelle en exploitant un effet de mécanique quantique appelé tunnelage résonnant, qui permet à une barrière de passer d’un état opaque à un état transparent lorsqu’on lui applique un voltage peu élevé.

La prochaine étape, ajoutent les scientifiques, consiste à développer plus avant le processus de fabrication à grande échelle, pour éventuellement pouvoir installer ces nouvelles puces mémoire sur les traditionnelles barrettes de silicone, et ensuite les vendre au grand public.


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Pieuvre.ca

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